安倍在自民党大会上公开就森友学园“地价门”道歉
Samsung Electronics 第二季度盈利大幅下滑主要源于其半导体业务表现不佳，该业务占整体利润的 50-60%。由于持续的技术问题，高带宽内存（HBM）和其他高容量、高附加值内存产品未能从蓬勃发展的人工智能（AI）领域获益。代工（合同芯片制造）和系统 LSI 业务也因未能争取到主要客户而继续亏损。然而，随着 Nvidia 的 HBM 大规模生产批准的可能性在第三季度增加，以及上半年积累的内存库存得到清理，人们对业绩反弹的预期正在增长。根据行业消息，7 月 8 日三星电子的设备解决方案（DS）部
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三星电子 HBM.半导体产业
三星电子在今年第二季度录得的营业利润明显低于市场预期，引发了对其高带宽内存 （HBM） 业务失败的担忧，这被视为这一缺口背后的最大原因，以及代工业务的潜在复苏。尽管存储半导体需求低迷，但 SK 海力士和美光在 HBM 和高性能 DRAM 的引领下取得了不错的成绩，而三星电子却在性能不佳的泥潭中苦苦挣扎。特别是，三星电子自第四代 HBM （HBM3） 以来，所有代 HBM 产品都未能取得显著成果，导致 SK 海力士和美光占据市场领先地位。根据国内证券公司的分析，三星电子的内存部门录得约 3 万亿韩元的营业利
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三星电子 半导体 HBM
据最新消息，三星电子已制定明确的技术路线图，计划在第7代10nm级DRAM内存工艺（1d nm）后引入VCT垂直通道晶体管技术。相关产品预计将在未来2到3年内问世。在规划下一代DRAM工艺时，三星电子曾面临两种选择：1e nm工艺和VCT DRAM技术。经过深入研究和对比，三星最终选择了VCT DRAM技术。相较于1e nm，VCT技术在性能和效率方面表现更优。为加快研发进度，三星电子还将原1e nm的先行研究团队并入1d nm研发团队，集中力量推进1d nm工艺的开发。VCT DRAM技术是一种新型存储
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三星电子 VCT DRAM
三星电子和ASML曾于2023年12月宣布共同投资7亿欧元（约1万亿韩元），在大都市地区建立极紫外（EUV）研究中心，致力于打造面向未来的半导体制造设备以保持三星在先进工艺制程技术的领先性。针对这次合作，ASML特别与韩国土地住宅公社（LH）签订了在京畿道华城购买6个地块（约 19,000 平方米）的合同以建设研发中心。不过最近这项计划可能出现了一些变动， ASML最近出售了其中的两块地块，并且正在处理另外两块地块。尽管还剩下两个地块，但ASML似乎没有计划在剩余的空间里与三星建立研发中心。 ASML 是
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三星电子 ASML EUV
根据韩国媒体Pulse的报道，复杂国际形势下，三星已经开始与全球主要客户进行价格调整的谈判，三星计划对DRAM和NAND闪存产品进行3%至5%的提价。报道指出，在过去的几个月里，存储器芯片的需求因为客户的储备行为而急剧上升，这使得三星开始重新考虑其定价策略。此前，该公司由于市场供应过剩和需求疲软，长期维持稳定价格。然而，随着国际形势以及存储市场变化，加上竞争对手宣布提价，三星也开始加入涨价阵营。根据TrendForce集邦咨询预测，DRAM价格在第二季度有望上涨3%至8%，而NAND闪存的价格也将随着需求
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三星电子 存储器
据韩国媒体 etnews 最新报道，三星电子在智能穿戴设备领域又有新动作，除了正在推进的头显产品 Project Moohan 外，公司还在秘密研发一款代号为“??”（海岸）的智能眼镜。据悉，这款智能眼镜预计将于今年年底正式发布，为市场带来新的惊喜。虽然具体规格尚未公布，但据透露，三星在这款智能眼镜的人体工学设计上投入了大量精力，力求为用户提供极致的佩戴舒适度。值得一提的是，这款智能眼镜并未配备传统的遥控器或按钮，而是可能采用了更为先进的手势交互技术。etnews 推测，眼镜上可能会集成摄像头和传感器，以
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三星电子 智能穿戴 智能眼镜
除了 ArF 空白掩膜，三星还在加大力度将其他高度依赖日本的材料本地化。
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三星电子 EUV
据韩媒报道，三星电子近日正在为旗下自研处理器Exynos 2600投入大量资源，以确保其按时量产，且已在试产中获得初步成功，其2nm工艺（SF2）的良率达到了高于预期的30%。这一工艺被预期在今年下半年进行量产，并且这一良品率还有望进一步提升。报道中称，SF2是三星晶圆代工部门计划在2025年下半年推出的最新制程技术，采用第三代GAA技术。与SF3制程技术相较，SF2性能有望提高12%，能效提高25%，而芯片面积微缩5%。有消息称，Exynos 2600预计将用在计划于2026年第一季发表的Galaxy
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三星电子 SF2 芯片制程
12 月 3 日消息，据韩媒 Business Korea 昨日报道，三星电子和 SK 海力士正在合作标准化 LPDDR6-PIM 内存产品。该合作伙伴关系旨在加快专门用于人工智能（AI）的低功耗存储器标准化。报道提到，两家公司已经确定，有必要建立联盟，以使下一代存储器符合这一趋势。报道还称，三星电子和 SK 海力士之间的合作尚处于早期阶段，正在进行向联合电子设备工程委员会（JEDEC）注册标准化的初步工作。目前正在讨论每一个需要标准化项目的适当规格。▲ 图源三星PIM 内存技术是一种将存储和计
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三星电子 SK 海力士 内存
●? ?采用是德科技的超宽带测试解决方案，并搭载三星的?U100?芯片组进行测试●? ?可确保超宽带设备的稳定性和安全性是德科技助力三星电子成功验证FiRa? 2.0安全测距测试用例是德科技（Keysight Technologies, Inc.）成功助力三星电子，在其Exynos Connect U100芯片组上验证了FiRa? 2.0安全测试用例。此次验证得益于是德科技提供的超宽带?（UWB）测试解决方案，该方案符合物理层一致性测试
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意义：现代汽车和起亚汽车日前已与三星电子建立战略合作伙伴关系，旨在加强软件定义车辆（SDV）与智能手机之间的整合。此次合作将在现代汽车全球软件中心42dot的技术支持下，重点开发下一代信息娱乐系统并打造一个开放的出行生态系统。目标是开发一个用户友好的汽车环境，将车载信息娱乐系统与三星计划于2026年推出的SmartThings物联网（IoT）平台进行整合。展望：现代汽车集团计划打造一个将出行解决方案与基础设施相结合的智慧城市平台。这一举措将支持公司向软件驱动型出行服务提供商转型的战略，旨在构建一个连接数据
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三星电子今日宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD。三星新款AM9C1车载SSD凭借行业前沿的速度和更高的可靠性，成为适配车载应用端侧人工智能功能的解决方案。三星新款256GB AM9C1车载SSD相比前代产品AM991，能效提高约50%，顺序读写速度分别高达4,400MB/s和400MB/s。三星半导体基于第八代V-NAND技术的车载SSD AM9C1三星电子副总裁兼存储器事业部汽车业务负责人Hyunduk Cho表示：“我们正在与全球自动驾驶汽车厂商合作，为这些企业提
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三星电子 V-NAND 车载SSD
9月24日消息，今日，三星电子宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND 技术的PCIe 4.0车载SSD——AM9C1。相比前代产品AM991，AM9C1能效提高约50%，顺序读写速度分别高达4400MB/s和400MB/s。三星表示，AM9C1能满足汽车半导体质量标准AEC-Q1003的2级温度测试标准，在-40°C至105°C宽幅的温度范围内能保持稳定运行。据介绍，AM9C1采用三星5nm主控，用户可将TLC状态切换至SLC模式，以此大幅提升读写速度。其中，读取速度高达4700MB/s，写入速度高达1
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三星电子 NAND PCIe 4.0 车载SSD
IT之家 8 月 12 日消息，韩媒 ETNews 报道称，三星电子内部已确认在平泽 P4 工厂建设 1c nm DRAM 内存产线的投资计划，该产线目标明年 6 月投入运营。平泽 P4 是一座综合性半导体生产中心，分为四期。在早前规划中，一期为 NAND 闪存，二期为逻辑代工，三期、四期为 DRAM 内存。三星已在 P4 一期导入 DRAM 生产设备，但搁置了二期建设。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 级内存工艺，各家的 1c nm（或对应的 1γ nm）产品目前均尚未正式
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NAND 闪存 三星电子
IT之家 7 月 1 日消息，据《韩国经济日报》报道，三星电子、SK 海力士分别考虑向韩国产业银行申请 5 万亿和 3 万亿韩元（IT之家备注：当前分别约 263.8 / 158.28 亿元人民币）低息贷款，用于业务扩张。韩国产业银行由韩国政府全资控股，是韩国唯一的政策性金融机构，主要为韩国国家经济发展提供长期资金。韩国企划和财政部此前公布了“半导体生态系统综合支持计划”。作为该计划的一部分，韩国产业银行将向半导体企业发放 17 万亿韩元低息贷款，其中大企业可获得 0.8~1% 利率折让，而中小
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三星电子 SK 海力士
三星电子介绍
三星电子（Samsung Electronics KSE：005930 、KSE：005935 、LSE：SMSN、LSE：SMSD）是世界上最大的电子工业公司。1938年3月它于朝鲜大邱成立，创始人是李秉喆，现在的社长是李健熙。一开始它是一个出口商，但很快它就进入了许多其它领域。今天它在全世界58个国家拥有20多万职员。2003年，它的周转值为1017亿美元。在世界上最有名的100个商标的列 [
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