陕西高速集团铜旬分公司举办纪委书记讲党纪专题
全球存储解决方案领导者铠侠宣布，其采用第九代?BiCS FLASH??3D?闪存技术的?512Gb TLC存储器已开始送样（1）。该产品计划于?2025?年投入量产，旨在为中低容量存储市场提供兼具卓越性能与能效的解决方案。此外，这款产品也将集成到铠侠的企业级固态硬盘中，特别是需要提升?AI?系统?GPU?性能的应用。为应对尖端应用市场的多样化需求，同时提供兼具投资效益与竞争力的产品，铠侠将继续推行“双轨并行
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NAND闪存将单元串联排列以实现高密度存储，优先考虑写入/擦除速度而不是直接寻址。
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近日，复旦大学团队研发出一种名为“破晓（PoX）”的皮秒级闪存器件，其擦写速度达到亚纳秒级别，比现有技术快1万倍，数据保存年限据实验外推可达十年以上。相关研究成果已登上国际顶级期刊《Nature》。该项目由复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院的周鹏-刘春森团队完成。周鹏教授现任复旦大学微电子学院副院长，长期致力于集成电路新材料与新器件的研究。刘春森博士为青年研究员，与周鹏教授共同担任论文通讯作者。传统闪存器件中，硅材料的性能受限于电子有效质量和声子散射等因素，导致热载流子注入效率
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SK海力士将于2025年3月（协议预设的最早时间点）支付收购尾款，完成与英特尔NAND闪存业务的最终交割。随着交易的完成，将加强SK海力士在全球NAND闪存市场的地位，尤其是企业级固态硬盘（SSD）方面。随着AI技术的普及和应用，存储需求正在不断增长，HBM领域的领导者SK海力士却没有停止扩张的步伐，这次收购将使SK海力士与竞争对手三星展开直接竞争。· 2020年10月，SK海力士与英特尔达成协议，宣布以90亿美元收购其NAND闪存及存储业务；· 2021年12月，第一阶段的交易完成，SK海力士支付70亿
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近日，三星与长江存储（YMTC）签署了3D NAND混合键合（Hybrid Bonding）相关专利许可协议。不过，目前尚不清楚三星是否也获得了Xperi等其他公司的专利许可。三星从第10代V-NAND（V10）将开始采用NAND阵列和外围CMOS逻辑电路分别在两块独立的硅片上制造，因此需要长江存储的专利技术W2W（Wafer-to-Wafer）混合键合技术实现?——?通过直接将两片晶圆贴合，省去了传统的凸点连接，形成间距为10μm及以下的互连。从而使得电路路径变得更短，显著提高了传输
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当地时间2月24日，NAND Flash厂商西部数据（Western Digital ）正式宣布，已成功完成对闪存业务的分拆计划。图片来源：西部数据据悉，分拆后的闪存业务将重新以独立的闪迪（Sandisk）公司名义运营，由原西部数据CEO David Goeckeler转任闪迪CEO，而西部数据则将再次专注于机械硬盘HDD业务，由现任全球运营执行副总裁Irving Tan出任CEO。2016年，西部数据以190亿美元的高价收购了闪迪，并在2020年将闪存与HDD整合成两大独立业务部门。不过在2022年，存
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DeepSeek等AI模型驱动之下，存储器市场备受青睐。长远来看，AI等热潮将推动NAND Flash市场需求上涨，高容量存储需求有望为NAND Flash（闪存）市场提供新的增长动力。这一过程中，少不了技术升级与产品迭代。值得一提的是，为了提升存储技术的创新能力和市场竞争力，一些存储厂商之间正在进行技术共享和联合研发的合作。近期，美光、铠侠等公司闪存技术迎来革新，涉及3D NAND Flash与PCIe 6.0 SSD。铠侠X闪迪革新3D闪存技术：4.8Gbps、332层堆叠！在近期召开的2025年IE
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在技术飞速发展的今天，新兴的航空电子、关键基础设施和汽车应用正在重新定义人们对现场可编程门阵列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠闪存来存储配置位流。这种方法适用于许多主流FPGA配置应用；然而，随着技术的进步以及对更高可靠性和性能的需求增加，人们需要更多样化的配置存储选项。这种转变的催化剂在于应用和行业的不同需求，它们目前正不断突破FPGA应用的极限，要求在数据完整性、系统耐用性和运行效率等方面更进一步。现代应用需要更先进的功能1.更高的耐用性和可靠性：高级驾驶辅助系统和先进的互连航空电子技术等应用
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据报道，NAND闪存在2025年将继续面临需求疲软和供过于求的双重压力。三星、SK海力士、美光等NAND闪存制造商都选择在2025年执行减产计划。当前，存储器市场，尤其是NAND闪存领域，似乎正步入一个低迷阶段。自2024年第三季度以来，NAND闪存价格持续下滑，这一趋势使得供应商对2025年上半年的市场需求前景持悲观态度。长期的价格疲软无疑将进一步压缩企业的利润空间，为此，三星与SK海力士均选择在2025年第一季度实施更为激进的减产措施，将NAND闪存产量削减幅度提高至10%以上。在此前的上升周期时，N
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全球NAND闪存价格已连续四个月下跌，为应对这一不利局面，厂商开始减产以平衡供求，进而稳定价格。美光率先宣布将减产，随后三星也被曝出将调整其韩国本土的NAND产量以及中国西安工厂的开工率，韩国另一大存储芯片制造商SK海力士也计划削减产量。
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1月13日消息，据媒体报道，三星电子已决定大幅减少其位于中国西安工厂的NAND闪存生产，以此应对全球NAND供应过剩导致的价格下跌，确保公司的收入和利润。DRAMeXchange的数据显示，截至2024年10月底，用于存储卡和U盘的通用NAND闪存产品的价格较9月下降了29.18%。据行业消息，三星电子已将其西安工厂的晶圆投入量减少超过10%，每月平均产量预计将从20万片减少至约17万片。此外，三星韩国华城的12号和17号生产线也将调整其供应，导致整体产能降低。三星在2023年曾实施过类似的减产措施，当时
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IT之家?10 月 15 日消息，根据 TrendForce 集邦咨询最新调查，NAND Flash 产品受 2024 年下半年旺季不旺影响，wafer 合约价于第三季率先下跌，预期第四季跌幅将扩大至 10% 以上。IT之家注意到，模组产品部分，除了 Enterprise SSD 因订单动能支撑，有望于第四季小涨 0% 至 5%；PC SSD 及 UFS 因买家的终端产品销售不如预期，采购策略更加保守。TrendForce 预估，第四季 NAND Flash 产品整体合约价将出现季减 3% 至
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第八代BiCS FLASH已然投入量产，意味着基于BiCS FLASH的产品也将得到新一轮升级。全新的BiCS FLASH无论在存储密度、性能都有了显著提升，特别是2Tb QLC NAND是当下业界内最大容量的存储器。为了让第八代BiCS FLASH突破存储限制，铠侠通过专有工艺和创新架构，实现了存储芯片的纵向和横向缩放平衡，所开发的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）和3.6Gbps接口速度，给AI应用、数据中心、移动设备提供了更多潜在可能。技
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近日，媒体报道铠侠已申请于今年10月在东京交易所进行IPO。铠侠预计筹资规模将达到5亿美元，如若IPO顺利进行，那么其有望成为2024年日本最大规模的IPO。知情人士透露，铠侠可能在接下来的几周内启动其IPO流程，至于IPO的具体细节仍在讨论之中，可能会根据市场环境的变化而有所调整。该公司的估值预计将超过1.5万亿日元（合103亿美元）。资料显示，铠侠于2018年6月从日本东芝集团独立出来，2020年铠侠获准在东京证券交易所上市，不过后来该公司以市场前景不明朗为由推迟上市。
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IT之家 8 月 12 日消息，韩媒 ETNews 报道称，三星电子内部已确认在平泽 P4 工厂建设 1c nm DRAM 内存产线的投资计划，该产线目标明年 6 月投入运营。平泽 P4 是一座综合性半导体生产中心，分为四期。在早前规划中，一期为 NAND 闪存，二期为逻辑代工，三期、四期为 DRAM 内存。三星已在 P4 一期导入 DRAM 生产设备，但搁置了二期建设。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 级内存工艺，各家的 1c nm（或对应的 1γ nm）产品目前均尚未正式
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闪存介绍
【闪存的概念】
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断 [
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